氧化銦錫(ITO)晶體結構
氧化銦錫(ITO)是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導體，晶體結構是In2O3結構，其中In2O3結構具有兩種形態，一種是立方鐵錳礦結構，另一種是六方剛玉結構。立方鐵錳礦結構是常見的In2O3結構，如圖1所示。當將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時，一種高度簡并的n型半導體得以產生，其中一定數量的In3+位置被Sn4+取代了，導致ITO晶格中出現大量點缺陷，同時產生大量自由電子，點缺陷和自由電子可充當電場下的載流子，因此表現出了優異的導電性能。
ITO 體心立方鐵錳礦結構
ITO靶材特點
ITO靶材是一種銦錫氧化物特殊功能陶瓷材料，它是金屬銦經過深加工的高科技產品，主要用于生產ITO薄膜。作為n型半導體陶瓷膜，ITO薄膜具有良好的導電性；硬度高，耐磨、化學蝕刻性好；可見光透過率高；超過85%的紫外線吸收率，高于80%的紅外線的反射率；并且具有微波衰減率大于85%的特性。
ITO薄膜工藝
ITO在各種領域中的應用，均圍繞其透明和導電的優異特性。ITO薄膜的光學性質主要受兩方面的因素影響：光學禁帶寬度和等離子振蕩頻率。前者決定光譜吸收范圍，后者決定光譜反射范圍和強度。一般情況下，ITO在短波區吸收率較高，在長波長范圍反射率較高，可見光范圍透射率較高。以100nm ITO為例，400-900nm波長范圍平均透射率高達92.8%。
ITO薄膜的性能主要由制備工藝決定，熱處理常作為輔助優化的手段。為獲得導電性好，透射率高以及表面形貌平整的ITO薄膜，需選擇合適的沉積手段和優化工藝參數。常見的鍍膜方式包括電子束蒸發和磁控濺射。
電子束蒸發的主要原理：高真空環境下，通過電子槍發出的高能電子，在電場和磁場作用下，電子轟擊ITO靶材表面使動能轉化為熱能，靶材升溫，變成熔融狀態或者直接蒸發出去，在襯底表面沉積成ITO薄膜。
電子束蒸發鍍膜原理
磁控濺射屬于輝光放電范疇，利用陰極濺射原理進行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中，氬離子對陰極ITO靶材產生的陰極濺射作用。氬離子將靶材原子濺射下來后，沉積到襯底表面形成所需ITO膜層。
磁控濺射原理圖
ITO應用
ITO下游產業主要是平板顯示產業中的導電玻璃技術，即在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎上，鍍上一層氧化銦錫膜加工制作成的。在平板顯示產業中應用在觸摸屏和液晶面板領域。觸摸屏領域應用的是TP-ITO導電玻璃，而液晶面板領域應用的是LCD-ITO導電玻璃，兩者的主要區別在LCD-ITO導電玻璃還會在鍍ITO層之前，鍍上一層二氧化硅阻擋層，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內液晶里擴散。
液晶顯示器：
液晶顯示器主要使用ITO導電玻璃。
液晶顯示器之所以能顯示特定的圖形，主要是將導電玻璃上的透明電極蝕刻制成特定形狀的電極，在這些電極上加適當電壓信號后，使具有偶極矩的液晶分子在電場作用下特定的方面排列，進而顯示出與電極波長相對應的圖形。目前液晶顯示器的透明電極以ITO的透光率和導電性能較佳，而且容易在酸液中蝕刻出微細圖形。
觸摸屏：
無論是電阻式觸摸屏還是電容式觸摸屏，工作面都是基于ITO涂層。
電阻式觸摸屏，當表面被觸摸時向下彎曲，并使得下面隔開的兩層ITO涂層能夠相互接觸并在該點連通電路，電阻發生變化，在X和Y兩個方向上產生信號，然后送觸摸屏控制器。
表面電容觸摸屏只采用單層的ITO，當手指觸摸屏表面時，就會有一定量的電荷轉移到人體。為了恢復這些電荷損失，電荷從屏幕的四角補充進來，各方向補充的電荷量和觸摸點的距離成比例，由此推算出觸摸點的位置。
有IPHONE的投射電容觸摸屏采用多層ITO層，形成矩陣式分布，以X軸、Y軸交叉分布做為電容矩陣，當手指觸碰屏幕時，可通過X、Y軸的掃描，檢測到觸碰位置電容的變化，進而計算出手指之所在。基于此種架構，投射電容可以做到多點觸控操作。
另外IIO薄膜在幕墻玻璃、太陽能電池、航空航天飛機、汽車上的防霧玻璃、微波屏蔽和防護鏡、傳感器等眾多領域得以廣泛應用。
ITO發展現狀
長期以來，ITO靶材的核心技術都被三井、東曹、日立、住友、JX、三星康寧、優美科等大企業把持，他們所采用的常壓燒結技術已經較為成熟。
我國是ITO靶材大需求國，需求量占25%。作為顯示面板的重要原料，盡管ITO靶材已經進入紅海市場，但國產化率并不高，在2019年之前，約90%的ITO靶材需要依靠進口。
國內雖然有20多家靶材企業，但進展并不順利，普遍沒能做到批量供應。直到2017年，國產ITO靶材產品和技術水平大幅提升，逐漸追上水平，國內代表性企業有先導集團、映日科技、晶聯光電、歐萊靶材。
隨著OLED取代LCD成為顯示技術的主流，ITO靶材市場需求或將不再高速增長，轉為平穩發展趨勢。
另一方面，ITO靶材市場的價格戰已經持續良久，盡管現階段市場有漲價趨勢，但國內布局ITO靶材業務的企業不在少數，市場競爭壓力也將日趨激烈。
更新更新時間：2022-04-28
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